Dansk
TIL113, 4NXX-serien af enheder består hver af en infrarød emitterende diode, der er optisk koblet til en darlington-detektor. De er pakket i en 6-benet DIP-pakke og fås med bred ledningsafstand og SMD-mulighed.
{01171051} {720613051} }
(1) 4NXX serie: 4N29, 4N30, 4N31, {31365.} 6558} TIL113 serie : TIL113.
(2) Høj isolation spænding {31365565} mellem {8} input og output (Viso=5000 V rms)
(3) Krybe afstand >7,62 {3136508} mm {4136508} }
(4) Driftstemperatur op til +115°C {49091021}
(5) Kompakt dual-in-line pakke (6) Sikkerhed godkendelse UL godkendt (nr. E323844) VDE godkendt (nr. 40029733) CQC godkendt (nr.CQC19001231480 ) (7) I overensstemmelse med RoHS5, {313655} REACH -standarder. (8) MSL Klasse Ⅰ {7100350 eder De er pakket i en 6-bens DIP-pakke og fås med bred ledningsafstand og SMD-option.
Ansøgningsområde
Logiske kredsløb med lav effekt
Telekommunikationsudstyr
Bærbar elektronik
Grænsefladekoblingssystemer med forskellige potentialer og impedanser
Maks. absolut nominel værdi (normal temperatur=25℃)
Parameter |
Symbol |
Nominel værdi |
Enhed |
|
Input |
Videresend aktuel |
HVIS |
60 |
mA |
Krydstemperatur |
TJ |
125 |
℃ |
|
Omvendt spænding |
VR |
6 |
V |
|
Effekttab (TA = 25°C) Deratingfaktor (over 100°C) |
PD |
120 |
mW |
|
3,8 |
mW/°C |
|||
Output |
Kollektor-emitterspænding |
VCEO |
80 |
V |
Collector-Base spænding |
VCBO |
80 |
||
Emitter-kollektorspænding |
VECO |
7 |
||
Emitter-Base spænding |
VEBO |
7 |
||
Effekttab (TA = 25°C) Deratingfaktor (over 100°C) |
PC |
150 |
mW |
|
6,5 |
mW/°C |
|||
Samlet strømforbrug |
Ptot |
200 |
mW |
|
*1 isolationsspænding |
Viso |
5000 |
Vrms |
|
Arbejdstemperatur |
Topr |
-55 til + 115 |
℃ |
|
Aflejringstemperatur |
TSTG |
-55 til + 150 |
||
*2 loddetemperatur |
TSOL |
260 |
*1. AC-test, 1 minut, fugtighed = 40~60 % Isolationstestmetode som nedenfor:
Kortslut begge klemmer på fotokobleren.
Strøm ved test af isolationsspænding.
Tilføjelse af sinusbølgespænding ved testning
*2. loddetiden er 10 sekunder.
Opto-elektroniske egenskaber
Parameter |
Symbol |
Min. |
Typ.* |
Maks. |
Enhed |
Tilstand |
||
Input |
Fremadspænding |
VF |
--- |
1.2 |
1,5 |
V |
IF=10mA |
|
Omvendt strøm |
IR |
--- |
--- |
10 |
μA |
VR=6V |
||
Samlerkapacitans |
Cin |
--- |
50 |
--- |
pF |
V=0, f=1MHz |
||
Output |
Samlerbase mørk strøm |
ICBO |
--- |
--- |
20 |
nA |
VCB=10V |
|
Samler til udsenderstrøm |
ICEO |
--- |
--- |
100 |
nA |
VCE=10V, IF=0mA |
||
Collector-Emitter-dæmpningsspænding |
BVEO |
55 |
--- |
--- |
V |
IC=1mA |
||
Kollektor-Base-nedbrud Spænding |
BVCBO |
55 |
--- |
--- |
V |
IC=0,1mA |
||
Emitter-kollektor-dæmpningsspænding |
BVECO |
7 |
--- |
--- |
V |
IE=0,1mA |
||
Transformering Characteristic s |
Nuværende overførselsforhold |
4N32,4N33 |
CTR |
500 |
--- |
--- |
% |
IF=10mA VCE=10V |
4N29,4N30 |
100 |
--- |
--- |
|||||
4N31 |
50 |
--- |
--- |
|||||
TIL113 |
300 |
--- |
--- |
IF=10mAVCE=1V |
||||
Samler- og emittermætningsspænding |
4N29, 4N30, 4N32,4N33 |
VCE(lør) |
--- |
--- |
1.0 |
V |
IF=8mA IC=2mA |
|
4N31,TIL113 |
--- |
--- |
1.2 |
IF=8mA, IC=2mA |
||||
Isolationsmodstand |
Riso |
1011 |
--- |
--- |
Ω |
DC500V 40~60%R.H. |
||
Input-output Kapacitans |
CIO |
--- |
0,8 |
--- |
pF |
VIO=0, f=1MHz |
||
Svartid |
tr |
--- |
3 |
10 |
μs |
VCC=10V, IC=10mARL=100Ω |
||
Nedstigningstid |
tf |
--- |
6 |
10 |
μs |
Aktuelt konverteringsforhold = IC / IF × 100 %
Ordreoplysninger
Varenummer {0117371} {0117371} {0117371} {0117371}
eller OR-TIL113Y-Z-W
Bemærk
{011735} 0,4N31,4N32 eller 4N33)
TIL113= Varenummer
Y = Mulighed for kundeformular 9ne) {1}, {00Nej){0} {0} 0117351} Z = Mulighed for bånd og spole (TA,TA1 eller ingen).
W= 'V'-kode for VDE-sikkerhed (disse valgmuligheder er ikke nødvendige).
*VDE-kode kan vælges.
Mulighed |
Beskrivelse |
Pakkemængde |
Ingen |
Standard DIP-6 |
66 enheder pr. rør |
M |
Bred ledningsbøjning (0,4 tomme afstand) |
66 enheder pr. rør |
S(TA) |
Overflademonteret blyform (lav profil) + TA-tape og spolemulighed |
1000 enheder pr. rulle |
S(TA1) |
Overflademonteret blyform (lav profil) + TA1 tape og spolemulighed |
1000 enheder pr. rulle |